[发明专利]一种晶体管有效
| 申请号： | 202011250014.0 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112420811B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘胜厚;林志东;孙希国;张辉 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/40;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管，包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和钝化保护层，衬底、沟道层、势垒层依次从下至上层叠，栅极、源极和漏极位于势垒层上，栅极位于源极和漏极之间，钝化保护层覆盖在源极、漏极和势垒层上，并在势垒层上形成钝化保护层开口，栅极通过钝化保护层开口和势垒层接触；还包括介质层，介质层覆盖在钝化保护层上，并沿着靠近漏极一侧的钝化保护层开口侧壁延伸至势垒层上但未完全覆盖势垒层，介质层的厚度为≤100Å。本发明保证高场依然出现在栅边缘靠近漏端处，抑制电子从栅金属向沟道的注入，增强器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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