[发明专利]一种用于5G智能设备的多存储芯片堆叠封装构件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011251340.3 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112366140B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 侯新飞;崔文杰 | 申请（专利权）人： | 苏州钜升精密模具有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/52;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/065;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 饶富春 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于5G智能设备的多存储芯片堆叠封装构件及其制备方法，通过在模塑封装层上旋涂PEDOT:PSS水溶液、银纳米线悬浮液以及氧化石墨烯水溶液以形成线路层，先利用成膜性能优异的PEDOT:PSS形成一有机导电层，进而在有机导电层上形成一银纳米线网格，接着在所述银纳米线网格上形成一氧化石墨烯层，氧化石墨烯层的存在可以有效地使银纳米线网格中的相互接触的银纳米线的接合更加紧密，进而形成导电性能优异、稳固性好的线路层，进而可以将其应用于多存储芯片堆叠封装构中，以代替现有的常规布线结构，有效降低成本。进一步的，通过在模塑封装层上形成多个凹槽结构，进而使得线路层嵌入并填满所述凹槽结构，进一步提高了线路层的稳固性和可弯折性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 智能 设备 存储 芯片 堆叠 封装 构件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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