[发明专利]金属电迁移测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 202011251700.X | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112379245B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 郑仲馗;尹彬锋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及金属电迁移测试结构，涉及半导体集成电路设计，包括顶层金属、底层金属、通孔阵列、测试电流输入端、接地端、第一测试端子以及第二测试端子，顶层金属与底层金属通过通孔阵列连接；测试电流输入端连接顶层金属，用于施加测试电流；底层金属连接接地端；测试电流输入端连接第一测试端子，接地端连接第二测试端子，通过量测第一测试端子和第二测试端子间的电压差而进行金属电迁移测试，其中通孔阵列内的通孔在通孔阵列的长度方向上沿对称线对称地设置，接地端设置于对称线上，且接地端也沿对称线对称设置，以使在测试电流输入端持续施加电流时，电子在通孔阵列中的通孔间均匀分布。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 迁移 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
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