[发明专利]一种基于纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，其包含依次设置于衬底上的n+型β‑氧化镓纳米柱、β‑氧化镓本征层、p型氮化镓纳米线阵列、阳极金属填充层以及阳极保护层，阳极金属填充层填充p型氮化镓纳米线阵列的间隙，与本征层形成肖特基接触，β‑氧化镓纳米柱水平设置于衬底上，其一端面设置与其形成欧姆接触的阴极，实现了pin结与肖特基二极管相结合，使得该微型化的肖特基二极管在保持低导通电压的同时具有低反向漏电流和耐压高的特性，同时本发明的器件结构在材料的选择和生长方面进一步提高了二极管的生长质量，在纳米电子及光电子器件中具有巨大的应用前景。