[发明专利]等离子体浸没离子注入设备有效
申请号: | 202011253730.4 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112376029B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 王桂滨;韦刚 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;H01J37/317;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备,包括:工艺腔,在工艺腔中设置有基座,且工艺腔接地,基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在工艺腔的顶部,且与工艺腔的内部连通;并且,介质筒的内径由上而下逐渐增大;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在介质筒的顶部,并且匀气部件的下表面具有暴露于介质筒内部的匀气区域,且匀气区域中分布有多个出气口,用以向介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与匀气部件和工艺腔的腔室壁电导通。本发明实施例提供的等离子体浸没离子注入设备,其可以提高晶片掺杂均匀性。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 浸没 离子 注入 设备 | ||
【主权项】:
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