[发明专利]等离子体浸没离子注入设备有效

专利信息
申请号: 202011253730.4 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN112376029B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 王桂滨;韦刚 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: C23C14/48 分类号: C23C14/48;H01J37/317;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种等离子体浸没离子注入设备,包括:工艺腔,在工艺腔中设置有基座,且工艺腔接地,基座与偏压电源电连接;介质筒,设置在工艺腔的顶部,且与工艺腔的内部连通;并且,介质筒的内径由上而下逐渐增大;匀气部件,采用第一导电材料制成,且设置在介质筒的顶部,并且匀气部件的下表面具有暴露于介质筒内部的匀气区域,且匀气区域中分布有多个出气口,用以向介质筒中输送工艺气体;以及耦合线圈,环绕设置在介质筒的外周,且与激励电源电连接;导电部件,分别与匀气部件和工艺腔的腔室壁电导通。本发明实施例提供的等离子体浸没离子注入设备,其可以提高晶片掺杂均匀性。
搜索关键词: 等离子体 浸没 离子 注入 设备
【主权项】:
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