[发明专利]半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法在审

专利信息
申请号: 202011254808.4 申请日: 2020-11-11
公开(公告)号: CN112499636A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 谢雅敏;周信辉;谢兴文;张沛翎 申请(专利权)人: 成信实业股份有限公司
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 马鑫
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体废弃封装材的二氧化硅再生方法,其方法如下:将废弃封装材进行破碎;将所得的封装材碎片置于承载盘,置入一烘箱进行裂化处理,使热固性树脂产生缺陷或裂隙,或使热固性树脂与二氧化硅粉体的接口产生裂隙或分离;将裂化处理所得的封装材碎片,置入加热分解槽,再加入分解液进行分解;将已分解完成的封装材及分解液,以第一压滤机过滤,得到二氧化硅滤饼,将此滤饼置入清洗槽以纯水进行搅拌清洗;将清洗完成的二氧化硅以第二压滤机过滤,得到白色的二氧化硅滤饼;将所得的二氧化硅滤饼进行烘干;将所得的块状二氧化硅进行破碎及分级,如此,可得到纯度大于99%的高纯度二氧化硅粉体。
搜索关键词: 半导体 废弃 封装 二氧化硅 再生 方法
【主权项】:
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