[发明专利]非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法在审
| 申请号： | 202011255588.7 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114481320A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 吴云涛;史坚;李焕英;任国浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02;G01T1/202 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，包括：（1）选用NaI、 |
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| 搜索关键词： | 真空 坩埚 下降 生长 锂铊共掺 碘化钠 闪烁 晶体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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