[发明专利]半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 202011256672.0 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112382599B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 王淼;曾怀望;焦文龙;杨睿峰;李嗣晗 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市汉坤律师事务所 11602 | 代理人： | 初媛媛;吴丽丽 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 临时 解键合 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
