[发明专利]一种平面型光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种平面型光电探测器及其制备方法，该探测器包括衬底、生长于衬底上的缓冲层、生长于缓冲层上的无掺杂光吸收层，所述衬底采用了不导电半绝缘衬底，所述无掺杂光吸收层中的部分区域进行P型扩散形成扩散掺杂区，其余部分为无掺杂区，所述平面型光电探测器还包括沉积在所述无掺杂光吸收层表面的钝化层，钝化层上对应于扩散掺杂区与无掺杂区处分别开窗口沉积多层金属,形成P区金属电极和无掺杂区金属电极。该光电探测器结构简单，无需刻蚀，外延工艺简单，降低了自由载流子的光吸收，同时避免了台面刻蚀引入的侧边漏电的情况发生。