[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及检查方法在审
| 申请号： | 202011259826.1 | 申请日： | 2015-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112563181A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 山本大辅;米山裕之 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66;C09J7/20;C09J163/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜(1)的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为72％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 检查 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
