[发明专利]一种可分级处理的硅块蚀刻装置在审
申请号: | 202011259948.0 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN112582304A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 王力群 | 申请(专利权)人: | 王力群 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306;B02C23/16;B02C4/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 341000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及一种硅块领域,尤其涉及一种可分级处理的硅块蚀刻装置。本发明的技术问题为:提供一种可分级处理的硅块蚀刻装置。技术方案:一种可分级处理的硅块蚀刻装置,包括有支撑框架、实时控制屏、表面切除系统、物料转运系统、破碎系统、蚀刻系统、高压喷水器、第一储料箱和支撑底脚;支撑框架与实时控制屏相连接。本发明达到了将硅锭的有机物积淀最多的外层预先削除,防止破碎后对硅锭内部硅块二次污染,并且对破碎后体积不同的硅块进行分级蚀刻,使体积不同的硅块蚀刻程度保持一致,并且对硅块进行分级冲洗,防止蚀刻液残留,同时避免小块硅块得不到充分冲洗的现象的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 分级 处理 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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