[发明专利]泡沫钛基底上生长氧化铁纳米棒阵列材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202011261537.5 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112435864A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李睿智;李荣聪;张灵;周盈科 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/46;H01G11/30;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种泡沫钛基底上生长氧化铁纳米棒阵列材料及其制备方法。其技术方案是：按硫酸钠∶六水合氯化铁∶去离子水的物质的量比为7∶7∶7800配料，在室温条件下搅拌，得混合溶液。将所述混合溶液转移到高压反应釜中，再将经洗洁精、乙醇和用去离子水超声清洗过的泡沫钛浸入到混合溶液中，在160～170℃条件下保温4～7h，得前躯体。将所述前躯体置于管式气氛炉，在氩气气氛中于430～470℃条件下保温2～3h，制得泡沫钛基底上生长氧化铁纳米棒阵列材料。本发明工艺简单、环境友好和易于工业化生产，所制制品比容量高、倍率性能好和循环稳定性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 泡沫 基底 生长 氧化铁 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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