[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种光电探测器及其制备方法。一种光电探测器，所述光电探测器为横向PN结或纵向PN结结构，其包括：半导体衬底，半导体衬底具有顶层硅；所述顶层硅形成有锥体形硅波导，锥体形的硅波导具有第一端和第二端，第一端的面积小于第二端的面积；硅波导靠近所述第一端的上表面覆盖第一多晶硅层；所述硅波导靠近所述第二端的上表面覆盖锗层，并且所述锗层与所述第一多晶硅层拼接在一起；以及在所述顶层硅和/或所述锗层中的P掺杂区域和N掺杂区域；以及在所述P掺杂区域和所述N掺杂区域上表面分别形成的电极。本发明对锗硅光电探测器输入波导‑有源吸收区耦合结构进行了优化，可实现两者高效率耦合，提高响应，降低器件功耗。