[发明专利]一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法有效
| 申请号： | 202011262093.7 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112382613B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;石亮 | 申请（专利权）人： | 重庆万国半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人： | 张翠芳 |
| 地址： | 400700 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽功率器件与源极电容集成及其制造方法，涉及功率器件半导体制造领域，包括如下步骤：A、元胞结构的制备；B、沟槽功率器件的制备；所述沟槽功率器件包括接触孔、钨栓；C、ESD、集成电路接入沟槽功率器件；D、淀积钝化层，蚀刻焊盘区域，打线封装。本发明在沟槽功率器件制造的同时集成源极电容的制造。由于没有增加掩模版，成本可控。集成电容的沟槽功率器件可以减少外接电容的使用，从而减小印刷电路板的使用面积，达到降低成本和设备小型化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 功率 器件 电容 集成 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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