[发明专利]具有疏水包覆层的纳米硅材料、制备方法及应用在审
| 申请号： | 202011262377.6 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112456498A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘艳侠;曹相斌;刘凡;申长洁;阮晶晶;万爽;陈仕谋 | 申请（专利权）人： | 郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037;C01B33/02;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/38;H01M4/02 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 王红培 |
| 地址： | 450000 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有疏水包覆层的纳米硅材料、制备方法及应用，所述纳米硅表面具有疏水包覆层，疏水包覆层为成膜性疏水物质或表面活性剂。本发明以光伏废硅为原料进行纯化、细化制备纳米硅负极材料，工艺简单，成本低廉，实现了光伏废硅的资源化利用；本发明纳米材料中形成的疏水包覆层可以避免与水和氧气的进一步接触，合成的材料可以在空气中稳定存在；本发明采用的疏水包覆层简单有效，相比无包覆层的抗氧化性效果要好得多，同时本发明的包覆层制备方法工艺简单，只需要在细化过程中添加含疏水性物质或表面活性剂的溶剂分散均匀即可达到较好效果。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 疏水 覆层 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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