[发明专利]一种氮化镓P型层的外延生长方法在审
| 申请号： | 202011262626.1 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112481695A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 | 申请（专利权）人： | 辽宁百思特达半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18;C30B28/14;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 杨光 |
| 地址： | 124010 辽宁省盘锦市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种氮化镓P型层的外延生长方法，在InGaN/GaN多量子阱发光层之间插入生长掺杂p型AlGaN，作为新增的电子阻挡层，在P型AlGaN层与具有In掺杂的低温P型GaN层之间插入至少一层高温生长P型GaN层。与现有技术相比，本发明可以获得能带间隙值和能带偏移率,从而有效降低电子泄漏，提高空穴的注入率，这种外延结构有效改善接触层后所带来的外观不足，改善了外貌形态，提高外观等级，发光效率会有明显的提高，LED亮度有较大提升，同时提高了结晶质量，对电压的降低提供足够空间；另外提高了Mg的活化性能，提高了空穴浓度，减少器件发热，降低结温，有利于制备高质量的GaN薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁百思特达半导体科技有限公司，未经辽宁百思特达半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011262626.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
