[发明专利]半导体装置的制作方法在审
| 申请号： | 202011263802.3 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112992786A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 莫如娜·阿比里杰斯·柯德博;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处公开具有源极/漏极接点结构与通孔结构的半导体装置结构，与制作半导体装置的方法。半导体装置的制作方法可包含形成源极/漏极区于基板上，形成源极/漏极接点结构于源极/漏极区上，以及形成通孔结构于源极/漏极接点结构上。形成通孔结构的步骤包括形成通孔开口于源极/漏极接点结构上，形成非金属钝化层于通孔开口的侧壁上，以及以由下至上的沉积制程沉积通孔插塞于通孔开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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