[发明专利]一种位线接触部和DRAM的制造方法在审
| 申请号： | 202011264642.4 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496930A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 黄元泰;李俊杰;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 牛洪瑜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种位线接触部和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，用以解决现有窄小区域蚀刻变慢、不需要的部分绝缘材料层也被蚀刻以及底切的问题。位线接触部的制造方法包括：提供半导体衬底；形成多个有源区；形成隔离材料层，并在要形成位线接触部的有源区上方形成开口区域；在开口区域和隔离材料层上方沉积多晶硅层；形成位线叠层并将位线叠层形成为位线主体结构；以位线主体结构为掩模，通过多次循环蚀刻工艺对多晶硅层进行多次蚀刻以形成位线接触部，其中，循环蚀刻工艺包括前体气体吸收步骤、多余前体气体吹扫步骤、吸附气体激活步骤和多余激活气体吹扫步骤。通过多次循环蚀刻工艺能够在小于等于10nm的窄小区域实现有效蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 dram 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
