[发明专利]双大马士革工艺方法在审
| 申请号： | 202011265285.3 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382611A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 官锡俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括：步骤一、涂布第一光刻胶层并进行软烘；步骤二、涂布第二光刻胶层并进行软烘；第二光刻胶层的曝光剂量敏感度更高；步骤三、采用具有第一图形的第一掩模板进行第一次曝光使第二光刻胶层的曝光区域的整个厚度层发生光化学反应同时使第一光刻胶层中具有不发生光化学反应的厚度；步骤四、采用具有第二图形的第二掩模板进行第二次曝光使第一光刻胶层的曝光区域的整个厚度层发生光化学反应；步骤五、进行显影；步骤六、以显影后的第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩模对层间膜进行刻蚀将第一图形和第二图形转移到层间膜。本发明能节省一道刻蚀工艺，从而能节约成本并提高效率。 | ||
| 搜索关键词： | 大马士革 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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