[发明专利]基于栅极保护的级联电路及级联器件有效

专利信息
申请号: 202011265289.1 申请日: 2020-11-12
公开(公告)号: CN112382631B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 蒋胜;柳永胜;胡峰;白强;唐瑜;陈辉;于洁;郑梦婕 申请(专利权)人: 苏州英嘉通半导体有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088
代理公司: 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 代理人: 周仁青
地址: 215000 江苏省苏州市相城区高铁*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种基于栅极保护的级联电路及级联器件,所述级联电路包括高压耗尽型器件、低压增强型器件及低压耗尽型器件,所述高压耗尽型器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极,低压增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极,低压耗尽型器件包括第三栅极、第三源极及第三漏极,所述第一源极与第二漏极电性连接,第一栅极与第二源极电性连接,第二栅极与第三源极和第三栅极电性连接,第一漏极作为级联电路的漏极,第二源极作为级联电路的源极,第三漏极作为级联电路的栅极。本发明能够大幅降低传统增强型器件的等效米勒电容,即使在栅极驱动电流因栅极保护单元而严重受限的情况下,仍然能够使器件满足实际应用中对器件开关速度的需求。
搜索关键词: 基于 栅极 保护 级联 电路 器件
【主权项】:
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