[发明专利]基于栅极保护的级联电路及级联器件有效
申请号: | 202011265289.1 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN112382631B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 蒋胜;柳永胜;胡峰;白强;唐瑜;陈辉;于洁;郑梦婕 | 申请(专利权)人: | 苏州英嘉通半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 215000 江苏省苏州市相城区高铁*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种基于栅极保护的级联电路及级联器件,所述级联电路包括高压耗尽型器件、低压增强型器件及低压耗尽型器件,所述高压耗尽型器件包括第一栅极、第一源极及第一漏极,低压增强型器件包括第二栅极、第二源极及第二漏极,低压耗尽型器件包括第三栅极、第三源极及第三漏极,所述第一源极与第二漏极电性连接,第一栅极与第二源极电性连接,第二栅极与第三源极和第三栅极电性连接,第一漏极作为级联电路的漏极,第二源极作为级联电路的源极,第三漏极作为级联电路的栅极。本发明能够大幅降低传统增强型器件的等效米勒电容,即使在栅极驱动电流因栅极保护单元而严重受限的情况下,仍然能够使器件满足实际应用中对器件开关速度的需求。 | ||
搜索关键词: | 基于 栅极 保护 级联 电路 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的