[发明专利]一种亚微米级掺杂氧化钨基粉体及制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011266671.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112374542B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 高明;张虎;张花蕊;杨本润 | 申请（专利权）人： | 北京航大微纳科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G41/02 | 分类号： | C01G41/02;C04B35/495;C04B35/624 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100089 北京市海淀区学*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种亚微米级氧化钨基粉体及制备方法和应用，混合粉体中掺杂源元素的总质量分数为5‑50％，掺杂源的掺杂元素选自Ti、Mo、V、Al、Li、Zr中的至少三种，混合粉体的纯度大于99.95％，平均粒径500nm‑1800nm，D50粒径在200‑750nm；定义M |
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| 搜索关键词： | 一种 微米 掺杂 氧化钨 基粉体 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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