[发明专利]掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011267838.9 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382723A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策州;杨莉 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法，该阻变式随机存取存储器包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为掺杂二硫化钼粉末的氧化石墨烯层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，能满足大批量低成本的工业化生产需求。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 二维 材料 阻变式 随机存取存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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