[发明专利]一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法

摘要

本发明涉及一种毫米量级硫化钨单晶的生长方法,采用半封闭方式，在生长开始前引入极少量的NaCl颗粒，采用的NaCl颗粒能够在相对较低的温度下（约800℃）形成含有W的化合物，进而能够在CVD生长温度下有效的提升WS2生长过程中W源的过饱和度，进而实现单晶尺寸的扩大。通过采用这种方法能够将WS2单晶尺寸扩大至1.5mm，而常规生长方法获得的WS2单晶尺寸通常仅为数十微米。显著提高成核过程中钨源的过饱和度，使得成核生长过程中衬底表面钨源供应充足，保证生长的顺利进行，能够显著增大硫化钨单晶的晶畴尺寸，利于毫米量级硫化钨单晶的生长。