[发明专利]一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011270506.6 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382656A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 宋坤;王英民;孙有民;薛智民;王小荷;曹磊 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜层的阱与漏极之间减薄形成顶部下凹的超薄漂移区；漂移区自阱至漏极方向的掺杂浓度线性递增，使得漂移区能够形成平缓横向电场分布，大幅提升了器件击穿电压；所述漂移区的厚度小于硅膜层两端的厚度。与现有的LDMOS相比，该晶体管结构简单，在具有高击穿电压的同时具有低的开启电压，易于与BCD工艺技术兼容，为高压及功率集成电路的设计及工艺制造提供了更多选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 扩散 mos 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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