[发明专利]闪存器件的形成方法有效
| 申请号： | 202011272719.2 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112201660B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存器件的形成方法，通过在浮栅层以及浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有开口，所述开口暴露出部分所述浅沟槽隔离结构和部分所述掩膜层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浅沟槽隔离结构，以形成凹槽，所述凹槽的底壁低于所述有源区的表面；形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述凹槽的侧壁。所述侧墙层能够增加浮栅层与有源区之间的隔离效果，以减少漏电，并可以增大闪存器件的开启电流，以及减小闪存器件的关闭电流。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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