[发明专利]氮化镓增强型器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011272874.4 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112382662B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 张雄 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种氮化镓增强型器件及其制造方法包括衬底、成核缓冲层、氮化镓沟道层、超薄铝镓氮势垒层、氮化镓帽层、再次生长层、氮化硅绝缘层、漏极、源极和栅极；通过刻蚀工艺去掉氮化镓帽层的第一部分、并使用金属有机化学气相沉积生长铝镓氮再次生长层；在氮化镓帽层的第二部分和铝镓氮再次生长层通过低压化学气相沉积含高比例硅基的氮化硅绝缘层。通过低压化学气相沉积系统生长的高比例硅基的氮化硅绝缘层，以吸收天然铝镓氮势垒层表面上的氧原子，从而减少氮化硅/铝镓氮界面之间的氧污染区域，并通过铝镓氮再次生长层来降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 增强 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波铼微半导体有限公司，未经宁波铼微半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011272874.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
