[发明专利]金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011272924.9 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112647127B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王若铮;王艳丰;闫秀良 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/18;C30B29/04;C30B25/16;C23C16/511;C23C16/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用，所述结构包括单晶金刚石衬底和金属‑金刚石外延薄膜。其中，金属‑金刚石外延薄膜利用CVD同质外延金刚石过程中通入极少量高熔点金属前驱体，在微波等离子体的作用下，金属原子与缺陷处C原子的结合，改变缺陷处C原子的排列方式，使得C原子回到金刚石晶格的格点位置，抑制线缺陷向后续薄膜的延伸，在此基础上外延生长金刚石，提高了晶体质量，为减少金刚石薄膜缺陷密度提供了新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 辅助 控制 cvd 生长 金刚石 延伸 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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