[发明专利]紫外LED结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011274999.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112071967B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种紫外LED结构及其制备方法，其中紫外LED结构，包括：衬底和依次生长在所述衬底的一个表面上的非掺杂AlN层、非掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、AlGaN量子阱结构和AlGaN电子阻挡层；在所述AlGaN电子阻挡层上纵向生长P型纳米柱；蒸镀N电极和P电极。根据本发明的紫外LED结构，P型纳米柱的直径可控，同时纳米柱的密度可控；金属薄层在退火后形成的金属小球，具有纳米柱生长的引导和催化剂作用，使纳米柱能够纵向生长；并且生长过程无需取出反应室中，采用原位生长法；AlGaN量子阱产生的紫外光能够有效提取出来而不被吸收；能够极大地提高紫外LED的光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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