[发明专利]一种薄膜锂离子二次电池的制造方法在审
申请号: | 202011275630.1 | 申请日: | 2020-11-16 |
公开(公告)号: | CN112349969A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
发明(设计)人: | 侯瑾涛 | 申请(专利权)人: | 侯瑾涛 |
主分类号: | H01M10/058 | 分类号: | H01M10/058;H01M10/0525;H01M4/1395;H01M50/403;H01M50/46;H01M50/431;H01M10/0564 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710032 陕西省宝*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种锂离子二次电池的结构原理及加工制造流程。包括利用铝及铝合金阳极氧化制备二次电池正极材料的原理及过程;利用化学沉积法制备二次电池的负极材料及过程;包括所述二次电池需要的电解质及电解液及封装工艺及材料,本发明的二次电池的结构及材料具有极低的生产成本和极高的生产效率,高的能量密度、安全性、能满足超薄轻量化的要求,还不会对环境造成二次的危害。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 锂离子 二次 电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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