[发明专利]一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法有效
| 申请号： | 202011278741.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112391675B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;杨建;苏凯;李权 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C30B29/36;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人： | 尹英 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法，包括从下往上依次包括依次层叠的石墨基座盘基体、第一SiC界面层、Si过渡层、第二SiC界面层、热解炭过渡层以及梯度SiC涂层。本发明在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层，从而构成化学键结合，提高涂层的结合强度，在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层，从而构成化学键结合，提高涂层的结合强度，梯度SiC涂层的组分含量呈线性梯度分布，进一步缓解涂层与基体之间的热匹配差异；本发明可缓解涂层与基体之间的热应力，可有效避免涂层裂纹的产生，提高其使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 过渡 结构 半导体 石墨 基座 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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