[发明专利]一种IC植球工艺及锡膏在审
| 申请号： | 202011279323.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112296469A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吴林尤 | 申请（专利权）人： | 东莞市诚鸿电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K35/26;B23K35/36;B23K35/363 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IC植球工艺及锡膏，其中，一种IC植球工艺，包括如下步骤：1）获取在IC元件上的需要植球的锡球阵列及锡球阵列参数，通过阵列参数制备植球模具；2）将IC元件上料定位，然后将植球模具定位在IC元件的上方；3）在每一植球模具上方的通孔列阵内沿IC元件刷一层锡膏，并使得锡膏由通孔列阵的边侧向内凸起，锡膏中包含成锡球的合金成分；4）刷好锡膏后送入至回流焊处，回流焊的电极沿通孔列阵对锡膏进行加热，形成锡球。一种锡膏，用于IC植球工艺，包括如下质量百分比的组分：合金成分：80‑90%，焊剂：10‑20%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ic 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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