[发明专利]极紫外光刻光源掩模优化方法在审
| 申请号： | 202011279713.8 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112394615A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张子南;李思坤;王向朝;成维;胡少博;刘珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76;G03F1/80;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种极紫外光刻光源掩模优化方法，采用像素表征光源和掩模图形，通过点脉冲修正的厚掩模成像模型计算光刻胶像，以光刻胶图形和目标图形之间的图形误差作为评价函数，采用基于社会学习机制的粒子群算法(SLPSO)优化光源分布和掩模图形。本发明利用极紫外光刻厚掩模成像模型建立评价函数，提高了优化过程中成像计算的精度。另外，利用SLPSO算法有效提高了优化效率和寻优能力，提高了成像质量。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 光刻 光源 优化 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
