[发明专利]钙钛矿太阳电池PN结及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011282232.2 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112397650B 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 阿波斯;左玉华;郑军;刘智;成步文 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H10K30/50 分类号: H10K30/50;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周天宇
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种钙钛矿太阳电池PN结及其制备方法,方法包括:将BXn溶液旋涂在电子传输层上,进行第一退火处理,得到BXn薄膜;在所述BXn薄膜上滴加第一AX的醇溶液,进行第二退火处理,得到N型ABXn1钙钛矿薄膜;在所述N型ABXn1钙钛矿薄膜上旋涂异丙醇,再滴加第二AX的醇溶液,进行第三退火处理,得到P型ABXn2钙钛矿薄膜。本发明通过溶液法制备PN结,方便快捷,普适性、可重复性好,更利于工业生产。
搜索关键词: 钙钛矿 太阳电池 pn 及其 制备 方法
【主权项】:
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