[发明专利]一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011282535.4 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112466930A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 童领;包文中;马静怡;郭晓娇;陈新宇;夏银;周鹏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L21/44;H01L29/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体材料的金属接触结构及其制备方法。本发明包括衬底、位于衬底上的介质层、普通金属电极、齿状金属电极、顶金属电极以及位于介质层上的二维半导体材料。所述普通金属电极和齿状金属电极相接，所述齿状金属电极与二维半导体材料的边缘接触，所述顶金属电极位于齿状金属电极上方。二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的电学接触问题还没有很好的解决，本发明采用边缘接触加部分顶部接触的构型，解决了金属‑二维半导体材料界面晶格损伤和欧姆接触的问题，可在大规模集成电路中获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 半导体材料 金属 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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