[发明专利]飞秒脉冲簇产生方法及石英微流控芯片制造装置有效

专利信息
申请号: 202011283179.8 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112570897B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 曾和平;南君义;胡梦云 申请(专利权)人: 华东师范大学重庆研究院;上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学;重庆华谱科学仪器有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;云南华谱量子材料有限公司;广东朗研科技有限公司
主分类号: B23K26/362 分类号: B23K26/362;B23K26/0622
代理公司: 重庆启恒腾元专利代理事务所(普通合伙) 50232 代理人: 江涛
地址: 401123 重庆市渝北*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种飞秒脉冲簇制备石英微流控芯片方法及其装置,其特点是将飞秒脉冲簇通过分束器件分成多路,经过汇聚透镜在焦点处形成飞秒脉冲簇等离子体,或者多路光束之间干涉形成飞秒脉冲簇等离子体光栅,同时通过光烧蚀加工微通道以及氢氟酸浸泡制备微流控芯片。微流控芯片制造装置包括:飞秒脉冲簇激光源、光束分离与干涉、激光烧蚀加工微通道、氢氟酸浸泡池。本发明为微通道芯片制造提供新的制备方法,在超快光学技术加工微流控芯片领域具有很好的应用前景。
搜索关键词: 脉冲 产生 方法 石英 微流控 芯片 制造 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学重庆研究院;上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学;重庆华谱科学仪器有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;云南华谱量子材料有限公司;广东朗研科技有限公司,未经华东师范大学重庆研究院;上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学;重庆华谱科学仪器有限公司;重庆华谱智能装备有限公司;云南华谱量子材料有限公司;广东朗研科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011283179.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top