[发明专利]RF放大器在审
| 申请号： | 202011283534.1 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112825475A | 公开（公告）日： | 2021-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吉安·霍赫扎德;纪尧姆·勒贝利;克拉斯-简·德兰根 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/19 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开描述了一种用于在SiGe HBT技术中实施的RF放大器。所述RF放大器具有共源共栅级，所述共源共栅级包括串联布置在第一电压轨与第二电压轨之间的共基极(CB)晶体管和共发射极(CE)晶体管。RF输入耦合到所述CE晶体管的基极，且RF输出耦合到所述CB晶体管的集电极。所述RF放大器包括布置在所述CB晶体管的基极与所述第二电压轨之间的CB断电电路，以及布置在所述CE晶体管的所述基极与所述第二电压轨之间的CE断电电路。在断电模式中，所述CE断电电路将所述共发射极晶体管的所述基极耦合到所述第二电压轨。所述CB断电模式电路经由高欧姆路径将所述CB晶体管的所述基极耦合到所述第二电压轨。 | ||
| 搜索关键词： | rf 放大器 | ||
【主权项】：
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