[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：栅极层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠在衬底上；以及沟道结构，穿透栅极层并在第一方向上延伸，每个沟道结构包括分别在栅极层的侧表面上并在第一方向上彼此间隔开的第一电介质层、分别在第一电介质层的侧表面上并在第一方向上彼此间隔开的电荷存储层、垂直于衬底延伸以与电荷存储层的侧表面一致的第二电介质层、以及垂直延伸的沟道层，并且每个第一电介质层在第一方向上具有第一最大长度，每个电荷存储层在第一方向上具有大于第一最大长度的第二最大长度。