[发明专利]半导体基底结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011284045.8 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397570A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 吕穿江;王晓日;朱晓斌;王函;张召 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种包含有N型埋层的半导体基底结构及其制作方法。其中，基底结构包括：P型衬底层，在位于P型衬底层中的埋层区掺入N型元素杂质形成N型埋层；P型外延层，P型外延层沉积在P型衬底层上，P型外延层中的P型杂质浓度为第二浓度；在P型衬底层和P型外延层之间形成P型外延阻挡层，P型外延阻挡层用于阻挡N型元素杂质从N型埋层中蒸发进入P型衬底层中；P型外延阻挡层的P型杂质浓度为第一浓度；P型杂质在P型外延阻挡层中的第一浓度大于，在P型外延层中的第二浓度。该方法用于制作上述基底结构。本申请可以解决相关技术在制作双极型NPN晶体管时，避免P型外延层被中和，甚至出现反型的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011284045.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
