[发明专利]一种镀层结构、钕铁硼磁体及其制备方法在审
申请号: | 202011284127.2 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112420314A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 郝志平;王佳兴;李渊;罗赣;白兰 | 申请(专利权)人: | 北京麦戈龙科技有限公司;天津沃尔斯科技有限公司;包头麦戈龙科技有限公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F1/057;H01F41/02 |
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地址: | 101300 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种镀层结构、钕铁硼磁体及其制备方法,属于电磁领域。一种镀层结构,包括用于包括产品的底层和外表层,还包括位于底层和外表层之间的镍磷合金化学镀层,一种带有镀层结构的钕铁硼磁体,所述磁铁包裹有所述的镀层结构,烧结钕铁硼磁体的镀层结构的制备方法,包括以下步骤:S1、对磁铁进行前处理;S2、在所述磁铁表面形成一层含锌层;S3、在含锌层上形成一层镍磷合金化学镀层;S4、在镍磷合金化学镀层上形成一层镍层;本发明消除了在锌电镀层与铜电镀层之间,或者锌电镀层与镍电镀层之间产生夹杂的、疏松的、结合力极低的置换铜层或者置换的镍层而非电镀层,从而获得更高的高温极冷热振效果,可以耐受到300~350℃环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 镀层 结构 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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