[发明专利]传感器温度补偿的方法、装置、设备及存储介质有效
| 申请号： | 202011284210.X | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112556569B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 聂泳忠;孙井源 | 申请（专利权）人： | 西人马帝言（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 赵秀芹 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种传感器温度补偿的方法、装置、设备及存储介质。首先采集磁电阻效应传感器系统的温度，第一正弦值和第一余弦值；然后根据温度，第一正弦值和第一余弦值确定第一角度；之后根据温度，第一角度和预设补偿表确定补偿数据，其中，补偿表包括磁电阻效应传感器系统在各个预设温度，以及每个预设温度下，不同预设角度对应的第二正弦值和第二余弦值；最后基于补偿数据，第一正弦值和第一余弦值确定第二角度。解决了目前的技术方案中存在的角度传感器测量结果不准确的问题，提高了测量结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 温度 补偿 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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