[发明专利]可调高度真空吸平台模块在审
| 申请号： | 202011284293.2 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112599464A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 贺云波;言益军;王波;刘青山;崔成强 | 申请（专利权）人： | 宁波阿凡达半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L33/48 |
| 代理公司： | 宁波甬致专利代理有限公司 33228 | 代理人： | 李迎春 |
| 地址： | 315200 浙江省宁波市镇海区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了可调高度真空吸平台模块，属于晶圆片加工设备技术领域，它包括真空吸附平台；位置调整部件，真空吸附平台分为上中下三层，该下层设有若干个相互平行且长度呈递增或递减的导气槽，真空吸附平台中层设有若干条与导气槽接通的面板导槽，面板导槽与导气槽覆盖住真空吸附平台的待吸附面，真空吸附平台上层均匀设有气孔，气孔将由面板导槽与导气槽接通构成气室与真空吸附平台表面接通，真空吸附平台上还设有用于连接负压发生装置的进气口和出气口。本发明提出了一种可调高度真空吸平台模块，其吸附作用面积分为若干个区间，不同区间相互组合形成多种规格，用以适应晶圆的加工要求。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 高度 真空 平台 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波阿凡达半导体技术有限公司，未经宁波阿凡达半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011284293.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
