[发明专利]磁性存储器装置在审
| 申请号： | 202011284446.3 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN113206188A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 金容才;郑求训;高宽协;权倍成;南坰兑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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