[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011287269.4 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112520689A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 王新龙 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 袁武 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。其中方法包括：在第一SOI晶圆中的第一硅材料层的第一表面形成沟第一槽结构，其中第一沟槽的深度小于第一硅材料层的厚度；将经过氧化处理后的硅晶圆与第一SOI晶圆进行键合，形成第一复合结构；对第一复合结构进行减薄，去除第一背衬底和第一绝缘层；在第一硅材料层的第二表面进行第二次刻蚀以形成下电极结构，并同时形成第二沟槽以至少暴露出部分第一沟槽。本发明中由于两次刻蚀过程是在所述第一硅材料层的两个表面分别进行的，因此不会在沟槽台阶边界处形成硅草，从而解决了因目前因台阶边界处形成硅草导致MEMS结构失效的问题，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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