[发明专利]一种植入式可延展多模式记录与光刺激脑机接口器件在审

专利信息
申请号: 202011289651.9 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112450939A 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 吉博文;皇甫帅祺;常洪龙;冯慧成;周宇昊;张凯 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: A61B5/268 分类号: A61B5/268;A61B5/273;A61B5/293;A61B5/294;A61B5/377;A61B5/386;A61B5/388;G06F3/01
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 金凤
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种植入式可延展多模式记录与光刺激脑机接口器件,包括深层刺入电极部分和表层平面电极部分。深层刺入电极部分包括深层记录电极点和封装在弹性透明硅胶内的微型LED芯片,表层平面电极部分包含皮层记录电极点。微型LED芯片发光工作,激活神经元进行电位发放,通过皮层记录电极点采集大脑皮层电信号,同时深层记录电极点采集单个神经元脉冲信号;大脑皮层电信号和单个神经元脉冲信号同时传输到接口端。该器件具有深脑光刺激和同步多空间尺度神经信号监测能力,拥有多空间尺度神经信号监测能力,同时使用统一接口端,有效提高了系统集成度和长期埋植可靠性。
搜索关键词: 一种 植入 延展 模式 记录 刺激 接口 器件
【主权项】:
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