[发明专利]电子级多晶硅清洗方法有效

专利信息
申请号: 202011290207.9 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112390259B 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 吴锋;张天雨;孙江桥 申请(专利权)人: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037;C30B33/10
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 周慧云
地址: 221004 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了电子级多晶硅清洗方法。该电子级多晶硅清洗方法包括:利用第一至第八清洗液一次对硅块进行清洗处理。第一清洗液为NaOH溶液或KOH溶液;第二清洗液为HNO3、HF、水的混合液;第三清洗液为HNO3、HF、水的混合液,且相对于第二清洗液,第三清洗液中HNO3的浓度较低,HNO3与HF的比例较高;第四清洗液为NH4OH溶液;第五清洗液为HF溶液;第六清洗液为H2O2溶液;第七清洗液为HF溶液,且相对于第五清洗液,第七清洗液中的HF浓度较低;第八清洗液为水。该电子级多晶硅清洗方法可显著提高硅块的清洗效果,并使硅块整体更加圆润,以便于下游加工。
搜索关键词: 电子 多晶 清洗 方法
【主权项】:
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