[发明专利]一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法有效
| 申请号： | 202011292534.8 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112261516B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 覃翠;张健;赵静;余辉龙;巍峘 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H04Q11/00 | 分类号： | H04Q11/00;G02F1/39;G02B6/26 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 徐燕 |
| 地址： | 211167 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法，所述装置包括第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅组成光纤环；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器和半导体光放大器构成干涉器；第一光耦合器的第一输入端输入信号光，第二光耦合器的第二输入端为控制光输入端，输出端通过光纤光栅与第三光耦合器的第二输入端；第三光耦合器的第二输出端输出信号光。相比目前的光缓存技术，利用半导体光放大器中的慢光效应可以调节光信号的缓存延时量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 半导体 放大器 中慢光 效应 实现 缓存 装置 方法 | ||
【主权项】：
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