[发明专利]高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202011294203.8 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420502A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法，栅极的形成步骤包括：步骤一、形成包含有高介电常数层的栅介质层；步骤二、在高介电常数层表面形成第一盖帽层；步骤三、在氨气气氛下进行金属后退火以对高介电常数层进行氮化处理；步骤四、将第一盖帽层去除，之后再形成第二盖帽层，第二盖帽未受金属后退火影响而为非晶结构。本发明能降低器件的阈值电压的失配，特别是能降低FinFET的阈值电压的失配。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 金属 mos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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