[发明专利]一种单能阿秒正电子串生成系统及其生成方法在审
| 申请号： | 202011294337.X | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112290372A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 余同普;赵杰;胡艳婷;张昊;鲁瑜 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | H01S4/00 | 分类号： | H01S4/00 |
| 代理公司： | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人： | 贾波;廖曾 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单能阿秒正电子串生成系统及其生成方法，所述生成系统包括用于生成拉盖尔高斯激光经第一光学系统进入近临界密度靶的拉盖尔‑高斯激光源、具有柱状带径向密度梯度的近临界密度靶、用于生成普通高斯激光并经第二光学系统进入近临界密度靶的高斯激光源，在近临界密度靶内的拉盖尔高斯激光与普通高斯激光互为对向；所述生成方法利用单能阿秒电子串生成系统通过涡旋激光（拉盖尔高斯激光和普通高斯激光）与近临界密度梯度靶相互作用产生单能阿秒正电子串。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单能阿秒 正电子 生成 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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