[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法在审
| 申请号： | 202011294369.X | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113078161A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 江宏礼;张智胜;陈自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11502 | 分类号： | H01L27/11502;H01L27/11507 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | MFMIS‑FET包括具有三维结构的MOSFET，该结构允许MOSFET具有大于MFM或MOSFET的覆盖区的有效面积。在一些实施例中，MOSFET的栅电极和MFM的底部电极是一体的。在一些情况下，它们具有相等的面积。在一些实施例中，MFM和MOSFET具有几乎相等的覆盖区。在一些实施例中，MOSFET的有效面积远大于MFM的有效面积。这些结构减小了MFM结构和MOSFET之间的电容比，而没有以会减小漏极电流的方式减小MFM结构的面积。本发明的实施例还涉及集成电路和制造集成电路的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
