[发明专利]光子器件及其形成方法和成像器件在审
| 申请号： | 202011294865.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113206165A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 洪蔡豪;刘陶承;陈盈薰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有增大的量子效应长度的光子器件及其形成方法。在一些实施例中，光子器件包括具有第一表面的衬底。腔从第一表面至第二表面延伸至衬底中。半导体层设置在位于衬底的腔中的第二表面上，并且覆盖层设置在半导体层上。半导体层配置为接收穿过衬底的入射辐射并且在半导体层和覆盖层之间的界面处全内反射该辐射。本申请的实施例还涉及成像器件。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 器件 及其 形成 方法 成像 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
